產(chǎn)品介紹
隨著手機(jī)快充、電動汽車、無刷電機(jī)和移動儲能的興起，中低壓MOSFET的需求越來越大。SGT MOSFET作為中低壓MOSFET的代表，被廣泛應(yīng)用于手機(jī)快充、電機(jī)驅(qū)動和電源管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，成為關(guān)鍵性功率器件。
江蘇海矽美SGT MOS系列產(chǎn)品基于成熟的屏蔽柵溝槽技術(shù)，通過優(yōu)化電場分布和溝槽結(jié)構(gòu)，顯著降低Rsp【導(dǎo)通電阻Rds(on)*芯片面積】，結(jié)合高功率密度封裝（如PDFN、TO-263M超薄型系列），在相同體積下輸出更高功率。同時(shí)，通過優(yōu)化屏蔽柵設(shè)計(jì)，大幅降低柵極電荷Qg，反向恢復(fù)電荷Qrr，更利于減小關(guān)斷損耗以及電流尖峰，增強(qiáng)整機(jī)系統(tǒng)穩(wěn)定性。并且通過優(yōu)化輸入電容比值，加強(qiáng)了柵極抗串?dāng)_能力，使其不易發(fā)生米勒串?dāng)_，減小了直通風(fēng)險(xiǎn)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、低特征導(dǎo)通電阻Rsp【導(dǎo)通電阻Rds(on)*芯片面積】，提高功率密度。
2、低品質(zhì)因子FOM【導(dǎo)通電阻Rds(on)*柵極總電荷Qg】，減小開關(guān)損耗。
3、低反向恢復(fù)電荷Qrr，減小關(guān)斷損耗。
4、低反向恢復(fù)電流Irrm，減小關(guān)斷電壓應(yīng)力。
5、高可靠性，能夠承受更高的雪崩擊穿和浪涌電流。
海矽美科技成立于2005年，是一家專注功率器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的半導(dǎo)體公司。
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