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    江蘇海矽美推出SiC MOSFET 產(chǎn)品,助力第三代半導體

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    產(chǎn)品介紹 江蘇海矽美推出第三代半導體SiC MOSFET 產(chǎn)品,產(chǎn)品封裝形式涉及TO-252/TO-247/TO-220/TO-263M/TO-220F/TO-263等。
    江蘇海矽美SiC MOSFET 產(chǎn)品具有更高的阻斷電壓、更快的開關(guān)頻率、更強的耐高溫特性,及系統(tǒng)優(yōu)勢:更低功率損耗、更高功率密度、更高工作頻率、更高工作溫度、更低 EMI,最重要的是更小系統(tǒng)尺寸和成本,從而提高能效。
    產(chǎn)品組合涵蓋 650V、1200V等電壓等級,導通電阻額定值覆蓋 20mΩ 至540mΩ,在各個重點領(lǐng)域中已經(jīng)大批量使用,具有出眾的可靠性。
    產(chǎn)品特點 柵極驅(qū)動15-18V,可兼容現(xiàn)有IC
    更低的導通電阻,降低體二極管恢復時間
    降低芯片Qg、電容,具有極低的開關(guān)損耗
    絕佳的柵極氧化層可靠性
    極低的開關(guān)損耗和導通損耗
    與硅基MOS管和IGBT兼容的驅(qū)動
    充足的短路抗雪崩能力

    規(guī)格書

    HXMC65N70F1-DataSheet-C03506-REV-N125AHXMC65N70P1-DataSheet-C03506-REV-N125AHXMC65N70S1-DataSheet-C03506-REV-N125AHXMC65N130F1-DataSheet-C03501-REV-N125AHXMC65N130H1-DataSheet-C03501-REV-N125AHXMC65N130S1-DataSheet-C03501-REV-N125AHXMC65N250F1-DataSheet-C03502-REV-N125AHXMC65N250H1-DataSheet-C03502-REV-N125A

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    SiC MOSFET 產(chǎn)品目錄

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